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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21K-M3/TR
| Artikelnummer: | BYG21K-M3/TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10800+ | $0.1518 |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21K-M3/TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BYG21K-M3/TR.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6 V @ 1.5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 800 V Technologie Avalanche Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 120 ns Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 800 V Strom - Richt (Io) 1.5A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer BYG21 BYG21K-M3/TR Einzelheiten PDF [English] BYG21K-M3/TR PDF - EN.pdf -
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